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蓝光GaN基Micro-LED芯片制备及激光剥离工艺研究
基于半导体制造工艺, 制备了尺寸为50μm×80μm的蓝光氮化镓(GaN)基Micro-LED芯片。芯片的正向导通电压在2.55V左右; 测试了10颗L......
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