激光剥离相关论文
废旧钴酸锂（LCO）电池所含金属离子及电解液等物质,如处理不当会对环境造成巨大危害,同时其正极材料中所含锂、钴等金属又是重要的资......
为了比较分析纳秒激光和皮秒激光剥离微型发光二极管（micro-LED）时AlN上GaN的热传导效果，采用了改进的实时紫外光吸收和热传导的激光......
近年来,氮化镓（GaN）基发光二极管（LED）作为一种新型的固态光源,具有低功耗,长寿命,高发光效率等优点,在汽车照明、显示背光等方面发挥......
碳纤维复合材料(CFRP)被广泛应用于航空领域飞行器结构和部件的制造.由于飞机经常会在一些恶劣条件下工作,碳纤维表面涂层会老化失......
实现不同尺寸/材质的结构、器件从刚性衬底上无损剥离,是利用传统微电子制造工艺制备柔性电子器件的最关键环节。基于应力加载或化......
当聚焦激光束在焦平面上的光强分布为高斯分布时，理论推导了激光能量与激光在样品表面所烧蚀的坑洞半径的关系。以铝箔、铝反射镜和......
基于半导体制造工艺, 制备了尺寸为50μm×80μm的蓝光氮化镓(GaN)基Micro-LED芯片。芯片的正向导通电压在2.55V左右; 测试了10颗L......
激光诱导击穿光谱（laser-induced breakdown spectroscopy，LIBS）技术具有对样品元素进行即时即地的快速在线分析功能，因而引起了广泛的......
基于激光剥离(laser-ablation,LA)的固体样品直接采样和元素分析技术一直是处于分析科学领域前沿的研究课题,激光诱导击穿光谱(las......
目前电子制造行业中，从智能控制到智能操作，几乎都离不开电线电缆等电子器件的有效连接。这类构件由多层异质材料组成，它们需要逐层剥......
GaN材料为直接带隙、宽禁带半导体材料，具有优良的的光、电与热传导特性，因此适合作为短波长光电元件的材料。自1993年第一只商业化G......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
期刊
用有限元分析法模拟计算Al2O3/GaN的激光剥离,分析了采用不同能量密度脉冲激光辐照时GaN材料内的瞬态温度场分布.采用波长248 nm的......
纳米粒子具有高的表面积,呈现更佳的物理与化学特性,常用于塑橡胶的添加物来改善或增进应用的特性.有许多纳米粒子的制作方法已商......
采用波长为10．61xm的TEACO：红外激光和波长为248nm的KrF准分子激光去除SMF28光纤涂敷层，研究了激光脉冲能量密度和脉冲数与涂敷层去除......
在GaN薄膜表面电镀厚100μm的、均匀的金属铜作为转移衬底。采用激光剥离技术，在400mJ／cm^2脉冲激光能量密度条件下，成功地将GaN薄膜......
制备了基于蓝宝石衬底的GaN基LED(C-LED)以及由激光剥离技术(LLO)制作的基于Cu衬底的相同电学结构的薄膜GaN基LED(LLO-LED)。通过......
对激光剥离Al2O3／GaN技术，建立了紫外脉冲激光辐照过程中GaN外延层内热传导理论模型．计算分析了不同能量密度脉冲激光辐照时，GaN外延层......
为了研究聚酰亚胺薄膜在308nm准分子激光下的剥离效果,采用实验研究的方法,分别探究了激光能量密度、光斑重叠率、脉冲频率、衬底......
正交双波长双脉冲的激光剥离—激光诱导击穿光谱技术能够在较少样品烧蚀的前提下获得高的光谱分析灵敏度，因此该技术可以从根本上解......
聚酰亚胺薄膜作为世界上性能极优的高分子材料,拥有较好的力学性能、机械性能及良好的化学性能,被广泛应用于航天、电气电子、精密......
采用波长为10.6μm的高能TEA CO2激光去除SMF28光纤涂敷层,研究了激光脉冲数和能量密度与涂敷层去除效果之间的关系.实验证明,涂敷......
根据光学薄膜原理计算了GaN／Ti／Ag、GaN／Al和GaN／Ni／Au／Ti／Ag、GaN／Ni／Au／Al多层电极结构的反射率，得出Ag基和Al基反射电极均能在全角范围内提......
为了研究低压环境对激光剥离的影响，利用准分子激光剥离系统和真空腔对GaN／蓝宝石样品分别在低压下和常压下进行多脉冲激光照射，之后......
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分析了脉冲激光作用下GaN的衬底剥离过程.利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/Al2O3材料温度分布的解析形式......
传统分离脆性材料的技术由于易产生残余应力、显微裂纹与边部碎屑等缺陷,越来越不能满足半导体工业高精度与高清洁度的要求。激光......
柔性显示器具有轻薄、可卷曲、耐冲击等特性,在便携类电子产品领域拥有巨大的潜在市场。很多平板显示器制造商热衷于发展柔性显示......
<正>全面屏的"齐刘海"现象在一般人印象中,决定一款手机性能的最重要部件是处理器和存储器,那么处理器和存储器也应该是最贵的手机......
聚酰亚胺(Polyimide,PI)由于其耐高温、热变形小、使用寿命长、生物兼容性强等优点,是柔性电子制造工艺中理想的柔性目标基板。为......
通过激光剥离成功分离了 Ga N膜及其蓝宝石衬底。位于界面处的 Ga N吸收了波长 2 48nm的激光辐射 ,导致其热分解 ,产生 Ga和 N2 气......
GaN基垂直结构LED具有耗电量小、寿命长等优点,在通用照明、景观照明、特种照明、汽车照明中被广泛应用。GaN基垂直结构LED是半导......
随着信息科技的发展,半导体技术的发展也很迅速,相应的半导体材料的研究也就显得十分的重要。宽禁带化合物半导体材料氮化镓拥有高......
GaN材料为直接带隙、宽禁带半导体材料,具有优良的的光、电与热传导特性,因此适合作为短波长光电元件的材料。自1993年第一只商业......
随着半导体材料的发展,以GaN及其Ⅲ族氮化物为代表的第三代宽禁带半导体由于其优越的特性越来越受到广泛的重视。GaN及其三元化合......
激光剥离技术是现阶段获得紫外LED外延片的热门方法,它在获得异质外延片的过程中有其它蚀刻方法所不具备的优势。本文研究了不同激......
GaN及其化合物是直接带隙半导体材料,它的禁带宽度从1.9eV～6.2eV连续可调,发光范围覆盖了从红色到紫外的光谱,GaN材料是一种理想的......
硅和氮化镓是第一代和第三代半导体材料的典型代表。GaN具有优良的光电性质和优异的机械性能,被认为是制备短波长光电子器件的最佳......
发光二极管(LED)是一种广泛应用于光电子领域的低成本长寿命固态光源发展半导体照明,节能长效,保护环境,其意义重大而深远。要使半......
Ga N基发光二极管(LED)中的残余应力状态对器件的性能和稳定性有很大影响.通过使用三种不同的键合衬底(Al2O3衬底,Cu W衬底和Si衬......
为改善GaN基发光二极管(Light-emitting diode,LED)的电学特性和提高其输出光功率,采用激光剥离技术,在KrF准分子激光器脉冲激光能......
采用激光剥离技术结合金属熔融键合技术将生长在蓝宝石衬底上的GaN外延层转移到Si衬底上。GaN和Si表面分别用电子束蒸发Al/Ti/Au和......
电流分布是影响大功率LEDs器件性能的重要因素,与传统结构GaN基器件比较,垂直结构器件通过采用上下电极分布,明显改善了LEDs器件内......
