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硅纳米晶粒基MOSFET存储器的荷电特征研究
本文研究了硅纳米晶粒MOSFET存储器的荷电特征.器件阈值电压偏移达1.8V以上,并随着沟道宽度的变窄而增加,而与沟道长度基本无关.同时......
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硅纳米晶粒
存储器
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Data storage equipment
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