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利用电容-电压(C-V)测量研究了界面陷阱对于硅纳米晶粒基金属-氧化物-半导体(MOS)电容结构的电荷存储特性的影响.研究表明硅纳米晶......
为研究纳米硅晶粒成核生长动力学过程,采用脉冲激光烧蚀(PLA)技术,在室温,50～200 Pa的氩气氛围中,通过引入垂直于烧蚀羽辉轴线的外......
本文研究了硅纳米晶粒MOSFET存储器的荷电特征.器件阈值电压偏移达1.8V以上，并随着沟道宽度的变窄而增加，而与沟道长度基本无关.同时......
本文以硅烷（SiH4）为反应气体，利用等离子体化学气相沉积（PECVD）方法在硅（100）衬底上生长硅纳米晶体、纳米线。应用扫描电镜观察不同条件下......
硅纳米晶粒具有独特的光致发光（PL）和电致发光（EL）特性,在纳米光电子器件中具有巨大的潜在应用价值。通过近年来硅纳米晶粒的研究成果,......
