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亚65nm静态随机存储器稳定性提高技术
CMOS工艺进入到65nm节点后,工作电压降低,随机掺杂导致阈值电压变化增大.给SRAM的读写稳定性带来挑战。介绍了目前业界最新的主要稳定......
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静态随机存储器
工艺变化
读写裕度
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SRAM process variation read and write margin RWAC
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