静态随机存储器相关论文
作为新型纳米器件之一,负电容场效应晶体管（NCFET）可以提升器件性能并有效降低功耗,被认为是可用于物联网等领域的下一代超低能耗集......
宇宙空间存在多种高能粒子,这些高能粒子进入半导体器件会引发辐射效应并最终导致电子系统失效,其中总剂量效应和单粒子效应是两种......
随着大数据时代的到来,人们对自动驾驶、计算机视觉、语音识别等数据密集型应用越加的重视。现如今,几乎所有先进的计算平台都是基......
随着机器学习、图像识别、物联网等新兴领域的发展,在处理像基于大数据的计算任务时,传统计算架构已经越来越不能满足快速发展的应......
金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET）的特征尺寸随等比例缩小规则不断减小......
科技的飞速发展促进了新兴技术被广泛的应用到人类的日常生活中,然而应用程序需要处理的数据量也随之陡增。由于内存技术的发展趋......
人工智能作为一个曾经让人感到很遥远的词,往往只出现在各种影视作品中,然而现如今,这个词已经渐渐的深入到我们的生活中来。商品......
量子元胞自动机（Quantum-dot Cellular Automata,QCA）是一种有望替代传统CMOS电路的一种新型纳米器件,在理论上,QCA具有超低功耗、超......
21世纪以来,物联网以及大数据,云计算不断发展为嵌入式存储器尤其是SRAM的变革带来动力。移动终端的高稳定性,低功耗的需求促使着......
随着高新技术领域的高速发展,在电子设备进行规模巨大的数据信息交互与处理的过程中要求SRAM模块具备低功耗,高稳定性等优点。在强......
互联网的飞速发展对其承载能力和吞吐量提出了越来越高的要求,路由器作为互联网中负责转发数据的关键节点设备,其能效和性能也受到......
伴随着物理、材料学、工程设计技术等方面的高速发展以及相互交融,人们通过跨学科的合作,使得集成电路中的最小尺寸不断打破原有工......
随着半导体工艺的不断进步,工艺参数偏差对静态随机存储器(Static Random Access Memory,SRAM)性能、功耗的影响越来越显著。SRAM......
随着晶体管尺寸的缩小,SRAM(Static Random Access Memory,静态随机存储器)的静态漏电流不断的增长。由SRAM的静态漏电流产生的静......
针对22 nm FD-SOI CMOS工艺静态随机存储器(SRAM),研究了工艺角、工作电压、测试温度、总剂量效应对器件性能的影响.通过自动测试......
静态随机存储器(static random access memory, SRAM)具有可靠性高、存取速度快及能够和逻辑电路相兼容的特点,使得它在高性能处理......
SRAM是一种广泛应用于So C上的重要存储器,现代高性能计算系统对SRAM性能提出了极大的要求。与此同时,随着工艺的进步,工艺偏差和......
随着手持电池供电设备的普及,功耗逐渐成为大规模集成电路设计最关心的问题。尽管各种低功耗技术层出不穷,但是降低电源电压无疑是......
静态随机存储器(SRAM)是信号处理系统的重要组成部分,是CPU与主存储器之间数据交换的桥梁。近年来半导体工艺已进入超深亚微米甚至......
静态随机存储器(Static Random Access Memory, SRAM)是数字系统的重要组成部分，常作处理器的高速缓存，提高数字系统运行速度。缩短......
随着集成电路的迅猛发展，制造工艺尺寸进入了纳米级，使得集成电路系统越来越容易受到来自地面环境和太空环境中辐射效应特别是单粒子......
由于超大规模集成电路(VLSI)的功能越来越复杂,规模越来越大,片上集成半导体存储器已成为数字系统中非常重要的组成部分。对于片上......
MMU是虚拟内存管理实现的硬件基础，在现代处理器中扮演着非常重要的角色。本文基于ARMv4处理器，设计了一款微处理器，同时针对MMU中DTL......
纳米技术的实现使半导体电路与系统的应用更加普遍,并向着大规模、高速、小面积发展。但是这种趋势也使得集成电路易受到辐射产生......
检纠错技术是解决静态随机存储器抗单粒子翻转问题的重要方法。本文针对静态随机存储器的加固问题,根据存储器的读写特点,综合考虑......
随着半导体加工工艺的发展,晶体管的特征线宽越来越小,现已降到数十纳米数量级。这一变化趋势在提高芯片集成度的同时提高了晶体管......
随着网络的发展和无线通讯技术的进步，个人信息传输与存储的安全性日益受到人们关注。存储个人信息的电子设备通常通过对信息进行加......
随着集成电路工艺尺寸向着超深亚微米级甚至纳米级的进一步缩小,芯片单位面积上的功耗密度不断上升,这使功耗成为集成电路设计中必......
现代集成电路(IC)设计中硅片面积的大部分是用于存储相关数据值和程序指令。随着半导体业的飞速发展,对存储器的需求突飞猛涨。而......
近年来,随着集成电路的高速发展,嵌入式SoC系统的设计成为一个热门的话题。不久的将来,嵌入式存储器在整个SoC系统面积中占据主导......
近年来随着半导体存储器技术的快速发展,静态随机存储器(SRAM)因其速度快的特性被广泛应用于各种高速存取场合。SRAM只需长期提供......
随着集成电路产业的迅猛发展,器件的尺寸正朝着纳米级阶段进一步缩小,芯片单位面积上的功耗密度也越来越大,这使得功耗已从速度、......
集成电路制造工艺缩减到40nm以下之后，静态功耗问题已经极大地影响了集成电路的设计思想。本文详细论述了MOS管中的泄漏电流产......
该文的研究即是针对集成芯片中的可测性设计问题进行的,主要包括以下几个方面的工作:首先讨论了集成芯片中的可测性设计的重要性及......
介绍基于SRAM的可重配置PLD的原理;通过对多种串行配置的比较,提出单片机与存储器串行配置方式;从系统复杂度、可靠性和经济性等方......
伪静态存储器的设计是用于直接替代静态随机存储器，即使内部存储器的操作并非静态。商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储......
器件单粒子闩锁效应(SEL)预估方法一般是建立在只有一个敏感体积单元的长方体(RPP)模型上,静态随机存储器(SRAM)单粒子闩锁敏感区......
现代So C(System on chip,系统芯片)的设计越来越复杂。Boot rom的功能也越来越强大。传统的boot rom只在启动的时候使用一次。之......
对1 Mbits的静态随机存储器(SRAM)进行了总剂量辐照及退火试验,试验结果表明:静、动态功耗电流均随总剂量增加而显著增大;静态功耗......
通过MEDICI的二维器件模拟,提出不仅在正栅下的体区受到单粒子入射后释放电荷,漏极也可以在受到单粒子入射后释放干扰电荷。对SOI ......
随着航天技术的发展，嵌入式系统设计在航天上得到了越来越广泛的应用。静态随机存储器(SRAM)作为使用最为广泛的存储器之一，由于其高......
提出了一种采用实速测试方式测试SRAM性能参数及可靠性的方案。该方案在内建自测试(BIST)电路的基础上,通过增加一个超高速ADPLL为......
电流模式敏感放大器是提高大容量SRAM性能的有效方法.介绍了在SRAM中应用传统的电流模式敏感放大器设计,在现阶段研究的基础上提出......
通过比较1 Mbit商用静态随机存储器(SRAM)在6种不同偏置条件下器件参数(静态和动态功耗电流)和功能参数(错误数)随辐射总剂量、退......
报导了利用北京大学串列静电加速器提供的重离子对两类静态随机存储器进行单粒子效应的实验和测量。给出了两类静态随机存储器的单......
随着人工智能应用技术的快速发展,中央处理器和存储电路之间大量的数据传输被公认为目前传统的冯诺依曼计算机体系架构中最大的瓶......
自1985年Xilinx公司正式推出第一块真正意义上的现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array,FPGA)芯片以来,FPGA就一直作为......
本文介绍了基于SRAM查找表的现场可重配置FPGA的结构和原理,及其配置方法,通过对多种配置方法的比较,提出了由单片机和EPROM存储器......
基于存储器访问局部性原理,提出了一种基于预测缓存的低功耗转换旁置缓冲器(TLB)快速访问机制。该机制采用单端口静态随机存储器(S......
提出一种基于静态随机存储器（SRAM）的光栅光调制器阵列控制系统电路．介绍了光栅光调制器的加工工艺和工作原理，分析了该控制系统电路的......
