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负偏压温度相关论文

90nm pMOSFET脱耦等离子体制备氮氧化硅的负偏压温度失稳性

MOSFET器件继续微缩则闸极氧化层厚度将持续减小,在0.13μm的技术闸极二氧化硅的厚度必须小于2 nm,然而如此薄的氧化层直接穿透电......

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PMOSFET 等离子体氮化负偏压温度氮氧化硅失稳性制备脱耦氧化层厚度 MOSFET器件

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