超宽禁带相关论文
金刚石属于超宽带隙半导体材料,具有优异的物理和化学性质,目前正成为国际竞争的新热点。现介绍了金刚石半导体材料和相关电子器件......
近二十多年来,以GaN为代表的III族氮化物半导体由于具有大禁带宽度、高极化强度、高击穿场强和高电子饱和速度等优点,在高频、高压......
作为一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,AlN不仅具有超宽直接带隙(6.2 eV)、高热导率、高电阻率、高击穿场强、优异的压电性能和良好的......
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