超结结构相关论文
超宽禁带氧化镓（Ga2O3）半导体材料禁带宽度为4.5～5.16 eV,理论预测其击穿电场强度达到8 MV/cm,远高于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓等半导......
随着电子电力领域的发展,功率器件正逐步占有更多的市场份额,对功率MOSFET器件的研究也逐步深入,为改善“硅极限”问题,许多创新的......
超结结构突破了多子型器件的“硅限”问题,获得了正向导通与反向耐压之间的良好折中.本文提出了超结元胞和终端的设计思路,并对其......
功率半导体器件是构成电力电子变换装置的重要器件。击穿电压和导通电阻是功率半导体器件的关键指标，而导通电阻和击穿电压是一对矛......
本文主要分析了超结结构的功率MOSFET的输出电容以及非线性特性的表现形态,探讨了内部P柱形成耗尽层及横向电场过程中,耗尽层形态......
对高频下的SiGe HBT器件击穿特性进行了研究。借助TCAD仿真工具,分析了影响器件击穿特性的基区Ge分布与集电区掺杂浓度超结结构。......
全球气候变暖和能源危机对电能的高效利用提出了苛刻要求,电力电子技术是目前最先进的电能转换技术,而功率半导体器件是电力电子技......
电力电子技术向高频化发展，功率开关二级管需要具有越来越好的电学特性，即有低的正向压降、较小的反向电流、短的恢复时间、低的导通......
功率MOSFET应用领域广阔,是中小功率领域内主流的功率半导体开关器件,也是DC-DC转换的核心电子器件,它占据着分立功率半导体器件市......
人们现在的生活与娱乐经常伴随着手机、电脑、平板等电子产品。在任何电子产品中,电源是必不可少的组成部分,而功率半导体器件是对......
