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超薄量子阱相关论文
(Al)GaN半导体材料掺杂的理论计算
Ⅲ族氮化物材料是目前半导体领域的研究重点,氮化镓(GaN)和氮化铝(AlN)及相关的多元合金等氮化物具有直接带隙,较高的光电转换能力......
学位
AlGaN
第一性原理
密度泛函理论
掺杂
超薄量子阱
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超薄层蓝色磷光OLED器件及封装工艺研究
有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode, OLED)自1979年被C.W.Tang发现以来,经过33年的发展,如今已成为显示及照明行业中......
学位
有机电致发光
蓝色磷光
超薄量子阱
封装工艺
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