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辐照后CMOS器件相关论文
CMOS器件辐照后热退火过程中激发能分布的确定
对CMOS晶体管辐照后的等温、等时退火特性进行研究,给出辐照敏感参数在等温、等时退火过程中随退火时间、退火温度的变化关系。根据......
期刊
辐照后CMOS器件
等时退火
等温退火
激发能
post-irradiation CMOS transistor
isochronal annealing
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