等时退火相关论文
探讨了加固型CC4 0 0 7经60 Coγ射线辐照后NMOS晶体管的退火特性 ,研究了辐照敏感参数随辐照剂量、退火温度、退火时间和退火偏置......
用能量为1.7MeV,束流强度0.7μA*cm-2,总注量6.3×l016 cm-2的电子辐照镁铝尖晶石透明陶瓷,并对辐照后的样品进行等时退火,利用UV-......
对电离辐照损伤后的MOS器件的等温和等时退火特性进行了研究 ,结果发现 ,首先 ,10 0℃等温退火是有效的 ,等时退火所需的全过程时......
作者用能量为1.7MeV、束流强度0.7μA*cm-2、总注量6.3×1016cm-2的电子,辐照处理镁铝尖晶石透明陶瓷,并对辐照后的样品进行等......
用能量1.7 MeV，束流强度0.7 μA* cm－2，总注量6.3×1016 cm－2的电子辐照镁铝尖晶石透明陶瓷，并对辐照后的样品进行等时退火。利用PA......
对CMOS晶体管辐照后的等温、等时退火特性进行研究，给出辐照敏感参数在等温、等时退火过程中随退火时间、退火温度的变化关系。根据......
研究了辐射后CMOS器件的等温、等时退火特性，给出了nMOSFET和pMOSFET器件不同条件下的对比结果．研究表明：100c等温退火是最有效的，等时......
介绍了一种利用等时退火法预估CMOS器件辐照后长时间等温退火行为的加速实验方法.为了找到两种退火在时间上的相应关系,依据每一步......
