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背栅二硫化钼场效应晶体管的制备及其电学特性研究
二硫化钼(Molybdenum Disulphide,MoS2)薄膜是优异的低维纳米材料,具有1.31.8 eV的可调带隙。利用MoS2作为沟道材料制备的场效应晶体......
学位
二硫化钼薄膜
场效应器件
输出转移特性
氧等离子体
表面改性
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