过偏压相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

过偏压相关论文

边缘击穿抑制对InGaAs/InP盖革模式APD性能的影响

基于吸收区倍增区分置(SAM)结构研制了一种用于单光子探测的平面型InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管(APD)。着重讨论了边缘击穿抑......

期刊

盖革模式 SAM 边缘击穿抑制暗计数率探测效率后脉冲概率过偏压

InGaAs(P)/InP近红外单光子探测器暗计数特性研究

基于InGaAs(P)/InP 雪崩光电二极管(Single Photon Avalanche Diodes,SPADs)的近红外单光子探测器具有功耗低、不需超低温制冷、可......

学位

单光子探测单光子雪崩二极管暗计数暗电流温度过偏压

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