近阈值电压相关论文
近阈值下时钟树设计包括拓扑设计和缓冲器插入。在近阈值下,由于晶体管延迟及其波动相比常电压显著增加,为了获得更高性能的时钟树......
近阈值电压下电路具有最高的能效比。然而相比于常电压,近阈值下时钟偏差会增加,此外时钟偏差的波动会变大,使电路的可靠性降低。......
在数字集成电路设计中,降低电压能够有效降低时钟树上的功耗,是实现芯片低功耗的有效手段。但当电压降低到近阈值电压附近,时钟单......
随着半导体技术的不断提升,芯片上可集成的晶体管数量按照摩尔定律以指数级提升。然而,芯片有限的散热能力阻碍了芯片上晶体管的进......
本文通过将供电电压降低到近阈值区域实现低功耗的目的.现有标准6T-SRAM在近阈值电压下的性能非常差,且受工艺波动的影响很大.因此......
近阈值电压技术通过降低晶体管的电源电压来降低芯片能耗和提升能效。但是,近阈值电压技术会在Cache中引起大量位错误,严重影响末......
随着硅的集成度和时钟频率的急剧提升,功耗和散热已成为体系结构设计中的关键挑战。近阈值电压技术是一种能够有效降低处理器能耗......
