工艺波动相关论文
近阈值下时钟树设计包括拓扑设计和缓冲器插入。在近阈值下,由于晶体管延迟及其波动相比常电压显著增加,为了获得更高性能的时钟树......
近阈值电压下电路具有最高的能效比。然而相比于常电压,近阈值下时钟偏差会增加,此外时钟偏差的波动会变大,使电路的可靠性降低。......
随着集成电路制造工艺的不断进步,电路尺寸不断缩小,工作电压持续降低,工艺参数波动对电路性能及良率造成的影响愈发难以准确评估......
近些年,随着集成电路产业的不断发展以及低功耗的迫切需求,缩小工艺尺寸以及降低工作电压成为实现需求的有效手段,但由此使得在标......
集成电路产业的不断发展以及行业对高能效的不断追求使得工艺尺寸不断缩小,电路的工作电压不断降低。随着电路工作电压的降低,工艺......
在数字集成电路设计中,降低电压能够有效降低时钟树上的功耗,是实现芯片低功耗的有效手段。但当电压降低到近阈值电压附近,时钟单......
近年来,传感器和嵌入式系统等低功耗的应用受到了广泛关注。宽电压可以在满足高性能的要求下尽量降低功耗,可同时满足高性能和低功......
研究了CMOS模拟集成电路的不同版图结构对电路性能的影响规律,探讨了不同版图结构对工艺波动的抑制作用。通过采用90 nm CMOS工艺......
摘 要：随着市场对高端NB&TPC产品要求越来越高，大尺寸产品分辨率越来越高，越来越轻薄，带来的技术上难点，导致产品出现PS设计，生产工艺波......
基于概率解释算法的原理,提出了一种考虑32艺波动的RLC互连延时统计模型,该模型使用了对数正态分布函数.在给定互连参数波动范围条......
本文阐述了气相流化床工艺中产生片、块及爆米花料的一些因素，并通过实际生产中表现出的非连续性的一些现象，重点讨论反应器产生片块......
在纳米工艺下,为了更好地抵抗工艺波动的影响,减小位于标准单元边界处的MOS管沟道长度随聚焦误差引起的变化,提出在现有版图基础上......
云南云天化国际化工股份有限公司针对云峰分公司磷酸厂低压蒸汽存在的具体问题,分析其工艺波动的原因,增加两台发电机组,利用这些......
65nm及其以下工艺，工艺波动对SRAM性能影响越来越大。SRAM读写噪声容限能够反映SRAM性能的好坏，对于预测SRAM良率有着重要的作用。采......
MOSFET晶体管的精确匹配对模拟和混合集成电路最终性能至关重要,因此漏电流失配方差或标准差大小的计算伴随着MOSFET器件特征尺寸......
仪化PTA生产中心多项指标已连续4年在中国石化同类装置中保持领先，如何追求无止境的改善？如何做到“扛着红旗不放”？该中心今年将“比......
阐述了三相异步电动机在整个制造工艺过程中易产生的工艺波动，探讨了产生这些工艺波动的主要原因，分析了这些工艺波动对产品质量的影......
为了有效分析工艺波动对互连性能的影响，本文基于对数正念分布函数提出了一种RLC互连延时统计模型。在给定互连参数波动范围条件下，......
基于等效Elmore延时模型和RLC互连的工艺角分析,提出了工艺波动致RLC互连延时快速极值分析方法,可以用于由工艺波动引起的RLC互连......
基于Cu的随动强化模型,采用有限元分析方法,对不同Cu/低-k通孔微结构中的应力情景进行模拟分析,探讨了因互连通孔和通孔阻挡层形成......
近几年来随着国家对新型干法水泥生产环保要求的不断提高．《水泥工业大气污染物排放标准》明确规定．“到2010年1月1日起．现有的水泥生......
MOSFET的精确匹配对模拟和混合集成电路的性能至关重要,随着器件特征尺寸减小至纳米,将MOSFET失配模型进行改良以适应新工艺显得十......
在实现集成电路大规模产品工艺中,随着关键尺寸的不断缩小,工艺技术创新、加工次序和工业过程控制要求越来越严格。尤其困难的是,......
基于改进的RLC互连树等效Elmore延时模型，建立了考虑电感效应和工艺波动影响的互连延时统计模型，并推导出计算互连延时均值与标准差......
基于6节点耦合互连串扰噪声电路模型，提出了一种新的考虑工艺波动的统计互连串扰噪声分析方法，在给定互连参数波动范围条件下，推导出......
本文通过将供电电压降低到近阈值区域实现低功耗的目的.现有标准6T-SRAM在近阈值电压下的性能非常差,且受工艺波动的影响很大.因此......
该文提出了一种考虑工艺波动的统计RLC互连延时分析方法。文中首先给出了考虑工艺波动的寄生参数和矩的构建方法,然后基于Weibull......
旁路检测方法通过采集电路功耗、延迟、电磁场等物理参数特性筛查硬件木马电路,但其检测性能会受到工艺波动的严重影响,且工艺的不......
介绍了逻辑电路IC芯片的两项重要参数(性能和功耗)与芯片的通用电源短路测试参数之间的强相关性。从而在IC芯片的量产阶段,利用晶......
测试芯片作为集成电路制造工艺提取工艺器件参数,评估工艺设备性能,制定版图设计规则,检测工艺缺陷以及评估产品可靠性的重要手段,......
当集成电路工艺进入甚至超越深亚微米阶段以后,集成电路的规模和复杂度日益增加,传统的以器件为设计核心的设计方法已经不能满足现......
随着半导体工艺的特征尺寸进入纳米数量级,日趋复杂的硅基MOS集成电路(Integrated Circuit IC)制造流程使得精确的工艺控制变得越......
集成电路特征尺寸缩小到100纳米以下之后,多层互连线寄生电容、寄生电阻引入的延时开始超过MOSFET栅电容延迟,成为影响电路总体延......
目前水泥窑电除尘器很难做到在窑生产工艺波动的情况下正常运转。随着环保要求的不断提高，越来越多的企业开始了将水泥窑系统电除尘......
随着CMOS技术发展至深纳米工艺级别,器件尺寸等比例缩小和电源电压持续降低引发了巨大的技术挑战。新材料和新技术取代传统CMOS制......
0前言塔里木油田分公司塔西南石化厂合成氨装置于1989年6月投产，装置设计能力原为60 kt/a合成氨，经2次改造后，生产能力已达到100 kt/a......
为了实现模拟集成电路版图设计的自动化,提出一种称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管阵列的版图布局方法。90nm/1.2V互补式MOS的......
在如今科技水平飞速发展的环境下,移动终端和智能家居已经普及在人们的生活中。为了满足人工智能对硬件设施的需求,工艺节点的持续......
随着CMOS技术的进步和器件特征尺寸的不断缩小,负偏压温度不稳定性（NBTI）效应已经成为了影响器件可靠性的关键因素之一。NBTI效应导......
基于Synopsys公司的3D-TCAD器件仿真软件,在65nm体硅CMOS工艺下研究了场效应晶体管(FET)抗辐射性能与工艺参数的关系,分析了N阱掺......
三相异步电动机由于具有结构简单、运行可靠、维护方便等优点，在工农业生产中得到广泛应用。据统计，三相异步电动机按千瓦数计算约占......
塑料注射成形是成形塑料制品的重要方法之一,也是材料加工学科的一个重要组成部分。注射成形过程中影响制品质量及其稳定性的因素......
在摩尔定律的推动性下,器件的特征尺寸越来越小,随之而来的可靠性问题严重影响到器件和电路的寿命。HCI退化是当前超深亚微米器件......
随着工艺节点不断降低,版图参数与器件结构参数减小引起的版图邻近效应及寄生效应日趋显著,同时,工艺波动对器件的影响也愈发不可......
随着集成电路进入纳米工艺，互连线延时超过门延时成为决定电路性能的关键因素。而制造过程中，由于工艺波动的存在，导致实际生产出来的......
VLSI制造技术已发展到深纳米量级,无论器件还是芯片的性能都进一步得到提高,然而制造流程各环节引入的工艺波动对芯片电学性能的影......
随着CMOS集成电路工艺特征尺寸进入纳米级阶段，互连性能已经成为制约集成电路设计的关键因素之一。在纳米级工艺下，工艺波动带有随机......
