逆导型IGCT因采用透明阳极、缓冲层、沟槽隔离和门极硬驱动等半导体新型技术而兼具GTO及IGBT的优点,文章重点分析其结构特点及制造......

概述了一种新型可关断电力半导体组件——逆导型IGCT的基本结构及相关技术。介绍了新研制成功的1100A／4500V逆导型IGCT的主要参数和......

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