文章提出了一种适合PDP选址驱动芯片的HV-NDMOS(High Voltage N-channel Lateral Double-diffused MOSFET)工艺结构,并通过二维MED......

设计出-种适合PDP选址驱动芯片的HV-NDMOS结构,分析了该结构的防穿通特性.提出了实现PDP选址驱动芯片的工艺流程及其基本参数;同时......

PDP选址驱动芯片实现低压控制高压输出,其中高压管的设计是关键,文中提出了能与低压CMOS工艺相兼容的高压管HV-CMOS结构及其中的高......