透明发射极相关论文
阐述了新型功率半导体器件———集成门极换向型晶闸管IGCT(Integrated Gate Com mutated Thyristor) 的基本工作原理和关键设计技术。IGCT在GTO 技术的基础上,采用硬驱动技术,集成其......
介绍了一种新型电力半导体器件--集成门极换向晶闸管(IGCT)的特性、工作原理、关键技术,并指出它必将成为大功率应用中的首选电力......
介绍了IGCT器件的基本结构和工作原理.在总结其性能特点的基础上,指出IGCT必将成为大功率应用中的首选电力半导体器件.......
集成门极换流晶闸管(IGCT)是一种用于功率变流的先进的大功率半导体开关器件,它将有利于变流装置在功率、可靠性、开关速度、效率......
带有缓冲层结构的透明发射极技术能使设计的GTO动态损耗降低50%,门极驱动要求也大为降低。由于使用较薄的硅材料,因而可在单片上集......
介绍一种大功率集成器件——集成门极换流晶闸管IGCT(Integrated Gate Commutated Thyrister),它具有大电流、高电压、开关频率高、高......