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金属—绝缘体—半导体相关论文
(Mg)ZnO基MIS异质结紫外光发射器件的制备与电致发光特性研究
宽禁带(3.37eV)半导体ZnO具有高达60meV的激子束缚能,是发展短波长、低阈值发光/激光二极管(LEDs/LDs)的理想候选材料之一。然而,稳定的......
学位
氧化锌
氧锌镁
金属—绝缘体—半导体
异质结
热氧化法
氧化亚铜
紫外电致发光
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