热氧化法相关论文
本文在综述硅基SiO2薄膜研究进展、表征方法、研究方法的基础上,着重研究用热氧化法和等离子体化学汽相沉积法（PECVD）制备硅基SiO2薄......
在钛片上用二茂铁化学沉积（CVD）制备了多晶α-Fe2O3光电极。这种电极的工作光谱延伸到670nm,大大超过了与其能带间隙相对应的550nm。......
微生物燃料电池(MFC)是一种利用细菌通过生物质产生电能的新方法,其产电性能受反应器构型、电极材料、基质的直接影响,底物因能为M......
微纳米薄膜材料广泛应用在纳米制造、微电子、新材料、环境监测、超精密加工等领域。近年来,随着精密工程和微纳技术的快速发展,越......
宽禁带（3.37eV）半导体ZnO具有高达60meV的激子束缚能，是发展短波长、低阈值发光/激光二极管（LEDs/LDs）的理想候选材料之一。然而，稳定的......
本文采用热氧化法（thermal oxidation method）和固相反应法（solid state reaction method）制备了纳米ZnO/Co3O4、SnO2/Co3O4复合氧化物......
随着电子设备的广泛应用带来的电磁污染问题和军事领域对隐身材料的需求,电磁波吸收材料得到了快速发展。近年来,碳材料在电磁波吸......
d0铁磁性是近年来出现的一种新的磁现象，它突破了传统的由部分填充的d或f电子的磁性原子所构成的磁性材料，实现了非磁物质的室温铁磁......
本文主要研究了氧化铜纳米线(CuO NW)器件和铜氧化物薄膜器件的电阻开关特性。首先,采用热氧化法制备了大量的CuO NW,利用一种简单......
本论文利用热氧化法和直流反应磁控溅射法制备氧化钒薄膜,主要研究热氧化温度、溅射电流、Ar/O_2流量比等实验参数对氧化钒薄膜物......
本文在综述硅基SiO薄膜研究进展、表征方法、研究方法的基础上，着重研究用热氧化法和等离子体化学汽相沉积法(PECVD)制备硅基SiO薄......
氧化锌是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,室温下氧化锌的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60 me V,远高于室温离化能(26 me V),使得其......
采用离子束辅助沉积方法在95％(质量比)Al2O3基板上制备Cu薄膜,利用热氧化法使Cu薄膜氧化,并与Al2O3基板反应,制备出CuAl2O4薄膜.通......
在低真空及亚高温(200～300℃)下.通过热氧化法在Si单晶基底上合成了呈准直阵列的椎形结构的氧化铌(NbOx)非晶结构纳米薄膜,薄膜经热......
破坏有机卤化物通常采用热氧化法，该法需要高温，并会产生二口恶英、光气和其他毒物；或采用氢气使其还原。虽然后一种方法属较清洁型方......
在空气中利用热氧化方法分别在P型硅、高阻硅、陶瓷以及N型硅衬底上制备了氧化锌(ZnO)薄膜.同时在氧气中、P型硅衬底上氧化制备少......
通过冷冻铸造和热氧化法制备一种新型兼具抗菌功能和良好骨整合性能的纳米针状表面改性仿生多孔钛植入体。分析和表征仿生多孔钛植......
根据实验观察，采用热氧化法对高速切削的淬硬钢切屑成色进行分析，以此判断在切削过程中切屑经历过的切削温度．结论是随切削用量的增大......
利用在金属基板表面电镀一层金属Fe纳米晶，然后通过热氧化法制备出了一维Fe2O3金属氧化物纳米针；利用扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、超......
采用脉冲电沉积技术在金属Cu基板表面电沉积纳米晶Cu薄膜，在空气中采用热氧化法制备出一维金属CuO纳米针材料。实验研究了脉冲电沉......
通过真空热氧化法氧化用电子柬蒸发技术沉积于GaN衬底表面的Cu薄膜，制备出了单一相外延的Cu2O薄膜。接着对样品在不同的温度下（400℃......
采用二步热氧化法制备SnO2薄膜。首先把真空蒸发法制备的金属锡膜在低于锡熔点的氧气气流中氧化半小时，然后提高氧化温度至400—550......
二氧化锡半导体材料,因其高电导率、在可见光区的高透明度、以及较好的热稳定性和化学稳定性,使其具有广泛的用途.它可以用作太阳......
随着电子元器件散热在高换热效率、可靠性等方面的要求,传统的散热技术已经无法满足要求,因此微通道散热技术作为高效散热方式成为......
采用热氧化法制备Ti/RuO2-CoO电极,通过SEM和XRD对电极涂层的表面形貌和晶体结构进行表征;并利用最佳条件制备的电极开展电化学氧......
对比吸附法、冷凝压缩法、热氧化法、溶剂吸收法、直接冷凝法等几种油气回收技术,结合实际,指出冷凝法是适宜于中原乙烯实施油品密......
介绍了烹调油烟的组成、分析方法和主要危害,阐述了各类油烟净化技术的特点,分析了油烟净化的国内外研究动态,指出催化燃烧技术是......
采用电镀和热氧化相结合的方法,在直径为30 m的丝上成功制备了直径为50～80 nm、长度在几个至十几个微米的CuO纳米线,并研究了温度和......
采用热氧化钛片的方法制备了TiO2薄膜电极,然后利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、荧光光致发光(PL)、拉曼光谱(Raman)、......
随着纳米科学与技术的发展及其研究的深入,一维纳米材料的优异性能和广阔的应用前景引发了广大科学工作者的极大兴趣。但是目前如......
<正> 一、前言 硅放在空气中会氧化,在其表面生成SiO2膜,这种膜厚度一般是30～50埃,是空气中氧和硅进行反应的结果。进行高温加热时......
SnO2作为一种较理想的气敏材料被广泛应用于气体传感器中。为了提高材料的气敏性能,通常可通过掺杂、改变形貌来改善材料的气敏性......
<正> 钛合金越来越广泛地应用于现代船体结构中。钛合金具有独特的机械性能、无磁性,具有低的密度、高的熔化温度、在各种介质中的......
平面光波导在光波分复用技术中起着重要的作用,尤其是Si基SiO2波导器件在光通信领域中具有许多优点.因此,如何在Si衬底上制备出性......
口腔修复作为一种最常见的诊疗手段,对于材料的多重性能均有较高要求,而钛锆合金因具有强度高、机械力学及无毒性等优势,成为该领......
以纯钛为基体材料,并以热氧化的方式制备La-Ti/SnO2-Sb/RuO2-Co电极,采用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及X-射线能量色......
用热氧化与脉冲激光沉积(PLD)两种方法在Si(111)上制备了ZnO薄膜。对两种方法制备的薄膜的形貌、结构和室温下的荧光光谱作了比较,......
以热氧化法制备TiO2薄膜电极,通过设计正交试验,得出了制备的最佳试验条件,即升温速率为15℃/min,最终温度为600℃,保持时间为2小......
采用热氧化方法,在泡沫铜上制备了高度有序的三维CuO纳米线(CuO NWs)阵列;利用扫描电镜(SEM),X射线衍射仪(XRD)和X射线光电子能谱(......
以Cu为基底,经热氧化制备出高质量的有序的单晶CuO纳米线阵列.通过采用离子束溅射技术,在高比表面积的CuO纳米线表面修饰ZnO纳米颗......
CuO是一种重要的p型半导体材料,已经被广泛的应用于超导材料、催化剂、磁存储材料、气体传感器、生物医学和锂离子电池等领域。各......
本论文利用粉末冶金结合热氧化法制备出纳米结构的MgZnO,并利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜、荧光分光光度计,对样品的成分、......
近年来，锂离子电池作为绿色无污染的新能源，获得了科学家们的青睐，锂离子电池的工业化也逐步走向成熟。但是工业化的碳负极材料比容量......
本文在综述硅基SiO2薄膜研究进展、表征方法、研究方法的基础上,着重研究用热氧化法和等离子体化学汽相沉积法（PECVD）制备硅基SiO2薄......
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