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金属有机化学气相沉积技术相关论文
MOCVD法制备陷光结构ZnO薄膜
ZnO是一种n型直接带隙半导体材料,室温下禁带宽度Eg为3.37eV。由于其原材料丰富且无毒,具有高电导和高透过率,并且在H等离子体环境中......
学位
金属有机化学气相沉积技术
ZnO薄膜
陷光结构
衬底温度
反应压力
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