以ZnO∶ Al为底电极,Cu为顶电极,在同种工艺条件下分别制备了类电容结构的纯ZnO阻变器件和ZnO∶2％Cu阻变器件,分析比较了两种器件的......

采用脉冲激光沉积法在SnO2：F（FTO）衬底上制备了单一c轴取向生长的ZnO和ZnO：Cu薄膜,并对具有Au/ZnO/FTO和Au/ZnO：Cu/FTO三明治结构的器件......

ZnO是Ⅱ-Ⅵ族直接宽带隙半导体,室温禁带宽度为3.37 eV,是少有的理论上被预测能够产生室温铁磁的半导体材料。与Ⅲ-Ⅴ族半导体化合......