阻变开关相关论文
随着存储器的快速发展,传统Flash存储器尺寸已经接近其物理限制。阻变存储器(RRAM)凭借其结构简单、功耗低、读写速度快、储存密度......
以ZnO∶ Al为底电极,Cu为顶电极,在同种工艺条件下分别制备了类电容结构的纯ZnO阻变器件和ZnO∶2％Cu阻变器件,分析比较了两种器件的......
采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了非晶InGaZnO4（α-IGZO）薄膜,利用直流磁控溅射法制备的Ag金属薄膜作为反应上电极,构......
采用脉冲激光沉积（PLD）方法于室温下在Pt/TiO2/SiO2/Si（111）及高导电的Si（111）衬底上制备了Cu2S固体电解质薄膜,后经X-射线衍射、原子力......
在众多的新型非挥发性存储器中,阻变式存储器(RRAM)因具有简单的结构、优秀的尺寸可缩小性、较小的编程电流、较低的功耗、较高的......
采用改进的热分解法制备了具有半导体效应的CuInS2量子点,量子点尺寸均匀、大小为4.2 nm。组装的Au/CuInS2/FTO阻变存储器件表现出......
采用射频磁控溅射法制备Ti金属薄膜作为反应电极,结合脉冲激光沉积法在Pt/Ti/Si衬底上制备了Ti/非晶-SrTiO3-δ（STO）/Pt结构的阻变存......
