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铟砷化镓沟道相关论文
Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究
在未来10nm技术节点及以下,传统CMOS技术在速度、功耗、可靠性等方面受到严峻挑战,如栅极漏电流增加、源漏亚阈值电流增加、栅极可靠......
学位
金属氧化物半导体场效应晶体管
制造工艺
硅锗衬底
铟砷化镓沟道
电容特性
电子迁移率
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