金属氧化物半导体场效应晶体管相关论文
对碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）进行完备的测试表征，包括变温下的静态特性，动态特性测试；对其中一些关键参数的影响......
以40nm-n型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET）为研究载体,探索了其总剂量效应与热载流子效应之间的耦合机制。分别对试验载体进......
针对碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）失效机理的研究,此前主要集中在雪崩失效机理和短路失效机理方面,而对其在极限......
期刊
碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件的栅极可靠性考核是一项重要的可靠性测试项目,然而现行测试表征均是针对硅（Si）器......
介绍了现代硅基大功率半导体器件的历史演变和新型器件结构的研究进展,以及宽禁带半导体材料和器件的现状;阐述了国内大功率半导体......
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)探测器原用于空间系统的辐射测量,近几年才引入到医学领域.由于该探测器具有普通探测设备无......
随着通讯设备的功能越来越强大，内部核心芯片单元在工作电压越来越低的同时因为集成器件的增多功耗也越来越大，当前使用的直流电源模......
随着第三代半导体的逐步商业化,未来替代硅基功率器件已经成为了趋势。SiC MOSFET良好的高温、高压和高开关速度特性成为了取代Si ......
非稳态NMR测量方案具有对脉冲磁场进行高精度、大范围测量的能力。通过测量结果可以为脉冲磁场环境中的科学研究和脉冲磁体的优化......
随着半导体工艺技术的发展，集成电路的工艺节点不断减小。先进纳米工艺下，复杂的工艺制造过程导致晶体管性能不稳定甚至异常。晶体管......
针对RF电路模拟的需要,在文中提出了一个基于表面势的MOSFET大信号动态集总模型.这个模型是由MOSFET的PDE模型简化推导而来.它不仅......
研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场......
目的探索和评估自行开发研制的新型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)探测器在体实时剂量测量中的应用特性。方法分别使用医科......
SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体,在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用.然而SiC热氧化生成SiO2的过程具有各向异......
分析了一种利用两个金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）串联提高开关器件组整体耐压以满足高输入电压小功率DC／DC应用要求的电路。......
半导体开关管器件作为开关电源中的关键器件,其驱动电路的设计是电源领域的关键技术之一,普通大功率金属氧化物半导体场效应晶体管......
通过引进基态施主能级分裂因素，对SiC基p-MOSFET的反型层电荷模型进行了改进。经计算发现，在考虑到能级分裂后反型层电荷面密度降低，......
随着半导体器件研制及其应用的发展,使得以大功率半导体开关器件作为固态的调制开关,在高压脉冲调制器中的应用越来越多.基于模块......
MOS （Matel-Oxide-Semiconductor ）器件阈值电压提取过程中的一些求导运算放大了测量数据中所包含的涨落因素（噪声和测量错误），使阈值电......
一个简单分析模型被开发了学习量在金者底层 MOSFET (金属氧化物半导体领域效果晶体管)的机械效果( QME )，它在减少通道的高绝缘的......
对国内常规54HC工艺制作的PMOSFET进行了F—N热载流子注入损伤实验，研究了MOSFET跨导、粤电压等参数随热载流子注入的退化规律，特别......
在亚50 nm的MOSFET中,沿沟道方向上的量子力学效应对器件特性有很大的影响.基于WKB理论,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级......
基于BSIMSOI对深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法进行了研究,提出一种借助ISE器件模拟软件进行参数提取的方法。该方法计算量......
0.5μm部分耗尽SOI MOSFET的寄生双极效应严重影响了SOI器件和电路的抗单粒子和抗瞬态γ辐射能力。文中显示,影响0.5μm部分耗尽SO......
简述了MOSFET器件工作原理，同顾了器件发展历程，列出亟待解决的器件工艺问题以及面临的挑战。......
采用新型功率开关器件SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），利用多器件并联和多逆变桥并联的扩容方式完成了800kHz/150kW高频大......
基于对一维泊松方程的解析求解以及对表面势的迭代计算,建立了适于模拟n沟6H-SiC MOSFET直流I-V特性以及小信号参数的解析模型.模......
研制了两种薄膜SOI高压MOSFET，一种是一般结构，另一种是新的双漂移区结构．两者的栅宽均为760μm，有源区面积为8．58×10^-2mm^2，测试......
针对传统直流稳压电源无法适应各工业生产领域需求的缺点，详细介绍了以脉冲宽度调制（PWM）控制芯片SG3525A控制IR2110驱动全桥式功率金......
以实际碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件为对象,首先测试了不同温度下的转移和输出特性,获取了温度对其阈值......
针对某功率等级为1 700 V/225 A的全碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),通过实验测试了其静态和动态特性,并将其与......
为抑制短沟道效应和解决载流子传输效率低的问题,提出了部分耗尽异质环栅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）结构（DMSG）,并建立了器......
使用pnp双极型晶体管和pMOS，按照正反馈产生负阻I-V特性的原理，采用CMOS工艺，设计研制成功CMOS负阻单元，并对它进行了实际的测试与验证......
随着集成电路工艺步入22 nm工艺节点,传统的硅基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)所产生的短沟道效应及低的击穿电压使其不......
对比碳化硅(SiC)与硅(Si)的材料特性差异,分析基于不同材料金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的电气特性,仿真得到其开关轨迹......
期刊
针对碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在100 kHz低频(LF)功放应用中出现的串扰问题,考虑SiC MOSFET寄生参数分阶......
功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的热不稳定现象,限制了MOSFET的安全工作区。为得到符合实际的安全工作区,建立了一种分析......
碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为一种新型的宽禁带半导体材料,拥有良好的高频开关性能,能够有效提升电力电......
Melexis公司推出了具有嵌入式闪存以及CPU的MLX81150直流电机控制器，可用于汽车的大电流应用。高度集成的MLX81150与少量几个高功率......
ADI近日宣布推出小型隔离式栅极驱动器,这些产品专门针对碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等电源开关技术所需的更高开关速度和系统尺寸限制而......
针对 RF电路模拟的需要 ,在文中提出了一个基于表面势的 MOSFET大信号动态集总模型。这个模型是由 MOSFET的 PDE模型简化推导而来......
SiO2作为栅介质已无法满足MOSFET器件高集成度的需求,高k栅介质材料成为当前研究的热点。综述了高k栅介质材料应当满足的各项性能......
采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在Fe掺杂半绝缘（010）Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,材料结构包括600 nm未掺杂的G......
碳化硅(SiC)由于其有热导率高、电子的饱和速度大、击穿电压高等优点而成为制作高温、高频、大功率和抗辐射器件的极具潜力的宽带......
随着半导体工艺技术的不断进步，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的特征尺寸也在不断的减小。当传统的SiO2栅介质层厚度减小到几......
由于MOS管是浅结系列产品，极有可能在测试时遭到静电击穿或过压过流而损坏。文中主要介绍MOS管在测试过程中，会造成实际测试时器件加......
相比于硅（Si）功率器件,碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）具有耐高温、耐高压、低导通电阻、快速开关等优势,能够极大提......
期刊
风能作为使用最广泛和发展最快的新兴可再生能源之一,风电机组中变桨充电器设计面临小型化与高功率密度的发展趋势,针对变桨充电器......
采用新一代半导体开关器件碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),通过新型平面式布局升压技术和优化同步触发电路,设......
从模拟和实验两个方面对高迁移率In0.6Ga0.4As沟道金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（MOSHEMT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS......
