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铟镓铝磷四元系合金相关论文
In0.5(Ga1—xAlx)0.5P合金的掺杂生长特性
利用LP-MOCVD分别生长Zn和S掺杂的In0.5(Ga1-xAlx)0 5P外延层,研究生长温度、掺杂源流量、V/Ⅲ比、Al组分以及衬底晶向偏离等生长......
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