锗硅薄膜相关论文
本文利用一种先进的薄膜制备技术超高真空化学气相沉积（UHVCVD）对在SiO2非晶衬底上生长Si1-xGex多晶薄膜的一系列研究。本文围绕两个......
微波退火作为一种可以降低热预算的新兴的退火方式,近年来受到了越来越多的关注,在杂质激活、非晶硅结晶以及硅化物形成等方面都有......
目前已经有许多学者研究了用 UHV/CVD方法生长 Si1-x Gex 薄膜时 Ge在表面、次表面的偏聚。一种对这种实验结果的解释是由于化学原......
在覆盖SiO2的n-Si（100）衬底上,采用等离子体增强化学沉积法（PECVD）制备Si1-xGex薄膜材料。薄膜Ge含量x及元素的深度分布由俄歇电子谱（AE......
综述了世界及我国太阳能电池产业的发展。指出提升现有多晶薄膜型太阳能电池的光电转换效率并降低其成本是当前光伏电能领域的主要......
对高H2稀释比条件下热丝CVD法制备GeSi薄膜的工艺参数对薄膜的键结构的影响进行了研究。用Raman谱和FT-IR谱对薄膜中非极性键（Ge—G......
采用低压化学气相沉积法（LPCVD），分别在n-Si和SiO2衬底上制备Si1-xGex薄膜。Ge的组分比由俄歇电子谱（AES）测定。对n-Si和SiO2衬底上的Si......
