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锗硅选择性外延工艺相关论文
锗硅工艺开发过程中的缺陷改善
随着IC芯片特征尺寸进入45nm以后,锗硅(SiGe)选择性外延工艺已成为不可或缺的关键性技术.虽然此技术可提升PM0S器件的性能,但其提升......
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锗硅选择性外延工艺
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