通过不同气体（NO、N2O、NH3）对Ge衬底进行表面预处理，生长GeOxNy界面层，然后采用反应磁控溅射方法生长HfTiO薄膜，制备HfTiO/GeOxNy叠层......

采用反应磁控溅射法在Ge衬底上制备了HfTiO高介电常数K栅介质薄膜，研究了不同气体（N2、NO、N2O）淀积后退火对Ge金属-氧化物-半导体（MOS......

采用反应磁控溅射方法在Ge衬底上分别制备了HfTiO和HfO2高κ栅介质薄膜,并研究了湿N2和干N2退火对介质性能的影响。由于GeOx在水气......

采用反应磁控共溅射方法在Ge衬底上制备亚-nm等效氧化物厚度（EOT）的HfTiO高κ栅介质薄膜，研究了湿N2和干N2气氛退火对Ge MOS电容电特......

制备了含TaON界面层的Hf基氧化物和氮氧化物叠层高κ栅介质GeMOS电容。器件的测量结果表明,HfTaON/TaON叠层栅介质GeMOS电容表现出......

通过NO、N2O对Ge衬底进行表面钝化，生长GeOxNy界面层，然后采用反应磁控共溅射方法制备HfTiN薄膜，并利用湿N2气氛退火，将HfTiN转化为HfT......

采用溅射法淀积一层LaON薄膜作为钝化层,制备了HfTiO栅介质Ge MOS电容,并对它们的电特性进行了仔细研究。HfTiO/LaON堆栈栅介质Ge ......