错误相关负电位相关论文
目的探讨抑郁症首次发病患者治疗前后错误相关负电位(error related negativity，ERN)的变化及其不同临床特征对ERN的影响。方法对80......
目的:比较双相抑郁与首发抑郁障碍患者错误相关负电位(ERN)的差异及影响因素.方法:对42例双相抑郁障碍患者(双相组)、41例首发抑郁......
目的:探讨精神分裂症和强迫症患者错误相关负电位(ERN)变化特征及与临床症状的相关性. 方法:对64例精神分裂症和59例强迫症患者及5......
目的探讨注意缺陷多动障碍(ADHD)患儿的错误相关负电位(ERN)的变化特点。方法应用事件相关脑电位仪,对30例ADHD患儿和30名健康儿童......
错误相关负电位(ERN)是亨件相关电位的一个负成分,出砚在大脑错谈反应后50～100ma,产生于大脑前扣带in皮质(ACC),可以反映大脑的错误......
目的比较强迫症和精神分裂症患者的错误相关负电位（error—related negativity，ERN）。方法检测21例强迫症患者和19例首发精神分裂症患......
错误动作发生后,在个体额叶中部可观察到一个明显的负相电位偏移,这称为"错误相关负电位"(error related negativity,ERN)。有研究......
脑-机接口(Brain Computer Interfaces,BCI)包括多种模式,其中运动想象脑-机接口(Motor Imagery Brain-Computer Interface,MI-BCI......
目的利用认知性电位(ERP)探讨健康成人错误监控功能的特征。方法应用ERP仪,对48例20～55岁健康成年右利手受试者,进行错误相关负电位......
脑机接口技术(Brain-Computer Interfaces,BCI)是一种不依赖于肌肉组织和外周神经系统,通过不间断的监控大脑活动中与用户意图相关......
目的:应用引进的德国仪器及新技术探讨并建立健康成人错误相关负电位(ERN)的正常值。方法:应用德国Brain Products公司的ERP记录与......
目的研究健康个体事件相关电位中错误相关负电位（ERN）的神经发生源。方法以24名健康志愿者为被试，采用高密度事件相关电位记录技术，由......
