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摘 要:由于InAs/GaSb II类超晶格材料有较高的表面态密度, 易在表面生成导电氧化层, 在将其制备成红外器件的过程中, 首先要解决钝化问......
期刊
InAs/GaSb II类超晶格材料是近年兴起的新型本征吸收窄禁带半导体材料,优异的性能使其在军事等领域有非常广泛的应用。受材料生长技......