阶梯量子阱相关论文
在有效质量近似下,利用打靶法和费米黄金定则计算出GaxIn1-xAsyP1-y/In P阶梯量子阱中两个及多个电子从第一激发态子带到基态子带......
AlGaN基深紫外(DUV)发光二极管(LED)具有较高的内量子效率,有望取代汞基光源成为新一代紫外发光首选.然而,其功率的进一步提升仍存......
量子阱结构由于其可控的量子限制效应和成熟的制备方法,成为众多GaN/AlGaN基光电子器件的基础结构单元。一方面,利用量子阱带内跃......
随着低维半导体材料制备技术的发展,人们已经可以生长出各种不同形状的低维半导体结构。阶梯量子阱(Stepped Quantum Well,SQW)作......
