散射率相关论文
超光滑光学元件作为精密光学仪器的重要组成部分,光学元件的各项性能参数都决定着该仪器自身的精度与应用场合。而光学元件表面有......
本文采用介电连续模型，计及晶格应变对材料的声子频率、介电常数、禁带宽度和电子带质量的影响，利用费米黄金定则讨论了应变闪锌矿型......
相比于传统的红失谐偶极势阱,蓝移阱中原子在排斥势的作用下被囚禁在光强最弱的地方,有助于减弱光子散射率和激光对原子能级的光频......
随着计算物理的不断发展,通过理论计算预测新结构来指导实验合成得到人们想要的新型结构已经成为当前发展材料科学研究的有效途径......
本文研究了TiO2和SiO2溶胶-凝胶光学膜在低温热处理下的组分、形貌特征、光散射特性.AES分析结果表明,在TiO2膜和SiO2膜的交界面处......
本文利用蒙特卡罗模拟技术，研究了有效衰减系数Γ与飞机高度Ｈ和视场角ＦＯＶ等系统参数以及体积衰减系数ｃ和单次散射率ω０等水质参数的关系，首......
利用钛酸四丁酯水解反应,结合溶胶-凝胶与水热处理法制备了TiO2纳米团聚体.以该团聚体制备染料敏化太阳电池的光阳极,不但可以保持......
用流体动力学平衡方程研究了4H-SiC的漂移速度,平均电子能量等输运性质,并考虑了非抛物能带效应和各向异性效应.同时对散射率的计......
介绍了一种能自动测量超光滑光学表面积分散射率的积分散射仪。它既能测量光学膜片,同时也能测量光学基片的积分散射。核心部件是......
基于费米黄金法则，理论计算了Cd1-xMnxTe／CdTe量子阱中第一激发态到基态的电子-LO声子的散射率，讨论了平均散射率随阱宽、温度及Mn组......
用蒙特卡罗-泊松方程自洽求解的方法,对深亚微米金属-氧化物-半导体场效应晶体管--MOSFET的电特性进行了模拟.在泊松方程的求解上,......
在有效质量近似下,利用打靶法和费米黄金定则计算出GaxIn1-xAsyP1-y/In P阶梯量子阱中两个及多个电子从第一激发态子带到基态子带......
采用介电连续模型,计及晶格应变对材料物理参数的影响,利用费米黄金定则讨论闪锌矿GaN/GaxIn1-xN应变异质结中四支光学声子对电子......
从量子力学的微挠理论角度分析散射机制的基本理论,总结了半导体中几种重要的散射机制并给出了散射率的一般表达式,给出一具体的例......
研究不同腐蚀时间下光伏微晶硅太阳电池衬底形貌及特性及其对电池性能的影响。利用多功能辐射型薄膜沉积系统生产电池膜层,对衬底......
从量子力学的微扰理论入手，总结并比较了半绝缘GaAs光电导开关中主要的散射机制的散射率表达式和散射终态，给出了所选择的散射机制下......
综述了红外热反射涂料的研究进展，分别介绍了喷涂红外热反射涂层及溶胶凝胶红外热反射涂层的特点及应用。重点阐述了纳米TiO2-SiO2......
利用蒙特卡罗光线跟踪法解决曲面间的辐射换热问题,模拟计算了抛物柱面式一级反射锥表面和地球屏表面的吸收率和散射率变化时,辐射......
利用二维结构理论,分析了浸没于水中的微球壳(直径1～10μm)在轴对称外激励力作用下的振动问题.通过湿模态分析方法,给出了微球壳的......
Based on the Fermi’s golden rule and the theory of Boltzmann collision term approximation, a physically-based model for......
利用传输矩阵方法对纤锌矿型量子级联激光器有源区的界面与受限声子进行了研究.计算结果显示：在纵光学频域有一组界面声子与二组受......
用地基遥感方法对北京市主要大气污染类型的气溶胶散射进行多角度观测实验 ,对比分析不同污染类型 ,及在不同观测角度下污染气溶胶......
采用分子动力学方法模拟了H原子在Be表面的散射。模拟结果表明，在入射能量为1、3、5、7和9eV时，H原子散射率随着入射角度的增加而增......
电-声子散射可以影响二维过渡金属硫化物的输运性质,使得光电器件和电化学器件受到影响。比如,受声子限制的载流子寿命可能会阻碍......
分析了人为气溶胶的光学特性和卫星遥感象元信息构成的物理机制 ,并对象元信息概化为土壤、植被、水分等基本信息组分和污染气溶胶......
近年来随着精密微加工技术的发展，人们可以制备许多人工微结构，如量子井，超晶格等，若在横向上再进一步加以限制，便可构成量子点结构，这些......
为了研究光路结构对双向反射分布函数测量的影响，通过在光路上增加光学器件对光束进行整形，采用探测器导轨、拉杆结合滑块的机械结构......
设计了一种大气环境散射率测量装置,用于测量普通大气环境中粒子对激光散射率,用以反映测量环境对光束的散射程度,进而评估测量环......
随着低维半导体材料制备技术的发展,人们已经可以生长出各种不同形状的低维半导体结构。阶梯量子阱(Stepped Quantum Well,SQW)作......
Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体CdTe具有较宽的禁带宽度和直接跃迁的物理特性,宽禁带直接跃迁型半导体是发展光电子技术的理想材料,在固体发......
纤锌矿非对称AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN多层异质结构不仅要比AlxGa1-xN/GaN单异质结构具有更高的二维电子气(2DEG)浓度和电子迁移率......
本文报告了采用全带多粒子Monte Carlo 方法模拟纤锌矿相GaN 体材料空穴输运特性的研究结果。首先介绍了纤锌矿相GaN 材料的结构特......
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