雪崩探测器相关论文
AlGaN半导体材料的带隙宽度可以从3.4eV到6.2eV连续可调,覆盖了从365 nm到200 nm的紫外波段,是制备紫外短波长发光和探测器件不可......
GaN,AlN及其三元化合物AlGaN在制备紫外光探测器,紫外发光二极管以及高温高速电子器件等方面有着重要的应用。特别是基于它们的雪......
综述了国内外同行对硅材料中微缺陷的有关研究，叙述了微缺陷（下称ＭＤ）对硅雪崩光电探测器（Ｓｉ－ＡＰＤ）性能的影响和消除措施，介绍了目前已有的检测方法......
利用放射源测得平行板雪崩计顺的时间和能量分辩分别为３７０ｐｓ和３５％，并用于２５ＭｅＶ／ｕ的＾０Ａｒ＋＾１５９Ｔｂ和＾ｎａｔＡｇ的中等质量碎片和蒸发剩余及类弹的关联测量，实验中探测器覆盖的......
为在HIRFL(Heavy Ion Rescarch Facility,Lanzhou)上进行重离子生物效应的研究,我们研制了一种在线平行板雪崩探测器,利用其电极分......
本文描述了其电极具有等距离分布的同心半圆环状窄条结构的位置灵敏平行板雪崩探测器(ASPD)的结构和工作原理。用此探测器可直接读......
滑雪是一项很好的体育娱乐活动,一些富于冒险的人还喜欢从事极限滑雪,这是一种极刺激和危险的活动.譬如从直升机降在一座雪山之顶......
<正> 一、前言平行板雪崩探测器为气体电离型辐射探测器,它具有如下特点:(1)特好的时间分辨本领:一般小于1ns,对重粒子、裂变碎片......
高增益AlGaN日盲雪崩探测器在国防安全与生命科学领域有重要的应用价值. 本文通过引入Al0.2Ga0.8N/Al0.4Ga0.6N异质结设计,将雪崩......
介绍了GaN基pin雪崩探测器的制作过程和测试结果。制作的器件在71 V反向偏压下发生雪崩,倍增因子达到5×104。我们发现,p层载......
随着宇航、量子通信等光子学技术的发展及对微光信号探测的需求提高,对高效率的单光子探测器的要求也不断提升。传统的探测器由于......
对基于斜台面工艺的背照式pin型GaN紫外雪崩探测器制备进行了简要介绍。通过斜台面制作工艺的对比优化研究,完成了GaN紫外雪崩探测......
本文描述了一台灵敏面积为70×140mm~2的一维位置灵敏的平行板雪崩探测器(PSPP)和一台灵敏面积为60×400mm~2的大面积平行板雪崩探......
