雪崩探测器相关论文
AlGaN半导体材料的带隙宽度可以从3.4eV到6.2eV连续可调,覆盖了从365 nm到200 nm的紫外波段,是制备紫外短波长发光和探测器件不可......
滑雪是一项很好的体育娱乐活动,一些富于冒险的人还喜欢从事极限滑雪,这是一种极刺激和危险的活动.譬如从直升机降在一座雪山之顶......
介绍了GaN基pin雪崩探测器的制作过程和测试结果。制作的器件在71 V反向偏压下发生雪崩,倍增因子达到5×104。我们发现,p层载......
随着宇航、量子通信等光子学技术的发展及对微光信号探测的需求提高,对高效率的单光子探测器的要求也不断提升。传统的探测器由于......
对基于斜台面工艺的背照式pin型GaN紫外雪崩探测器制备进行了简要介绍。通过斜台面制作工艺的对比优化研究,完成了GaN紫外雪崩探测......
本文描述了一台灵敏面积为70×140mm~2的一维位置灵敏的平行板雪崩探测器(PSPP)和一台灵敏面积为60×400mm~2的大面积平行板雪崩探......
