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对高温退火非掺磷化铟 (In P)制备的半绝缘晶片的电学性质和均匀性进行了研究 .非掺低阻 N型磷化铟晶片分别在纯磷气氛和磷化铁气......
分析了非掺锑化镓单晶片的化学抛光机制和影响获得表面质量良好的非掺锑化镓单晶片的因素，得到了非掺锑化镓的抛光工艺参数。利用该......
对高温退火非掺磷化铟（InP）制备的半绝缘晶片的电学性制质和均匀性进行了研究。非掺低阻N型磷化铟晶片分别在纯磷气氛和磷化铁气氛下......
