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杂质和缺陷对非掺半绝缘LECGaAs霍耳测量的影响
研究了非掺杂半绝缘LEC GaAs霍耳参数温度关系,研究结果表明,杂 缺陷的不均匀分布引起的电势波动对霍耳测量结果有明显影响,存在电势波动的......
期刊
非掺杂半绝缘LEC
霍耳测量
砷化镓
杂质
缺陷
Undoped Semi-insulating LEC GaAs
Potential Fluctuation
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