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本文对光脉冲入射波长为1064nm时,GaAs光导开关上的直流电场为10V/cm观察到光电流的现象运用非本征吸收光电导理论进行了解释.讨论......
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报道了用光子能量低于GaAs禁带宽度的红外激光脉冲,触发电极间隙为3mm和8mm的半绝缘GaAs光电导开关的实验结果。使用单脉冲能量......
通过变分法计算了量子点激子基态能量和偶极跃迁振子强度,分析了半导体量子点在非本征吸收区的三阶极化率.量子点中激子的基态能量......
