EL2能级相关论文
皮秒光电导开关（Photoconductive Seiconductor Sitches,PCSS）兼具高功率和高重复率双重特性,较之脉冲功率技术中的常规开关具有皮秒......
半导体光导开关(Photoconductive Semiconductor Switches简称PCSSs)是利用超快脉冲激光器与光电导体(如GaAs,InP等)相结合形成的......
报道了用光子能量低于GaAs禁带宽度的红外激光脉冲,触发电极间隙为3mm和8mm的半绝缘GaAs光电导开关的实验结果。使用单脉冲能量......
研究了单(Si+)双(Si+/As+)离子注入半绝缘砷化镓(SI-GaAs)电激活的均匀性. 结果表明,LECSi-GaAs衬底中深电子陷阱能级(EL2)均匀性......
报道了用1064nm激光脉冲触发电极间隙为8mm的半绝缘GaAs光电导开关的实验结果.在触发光能为1.9mJ,偏置电压分别为3kV和5kV条件下,......
砷化镓材料作为一种直接带隙双能谷化合物半导体材料,以其优越的光电特性在微电子和光电子学领域有着广泛的应用。非掺杂半绝缘砷......
光导开关(Photoconductive semiconductor switch, PCSS)也就是通过光控制导通与关断的半导体开关器件。光导开关具有功率密度高(M......
GaAs光电导开关(Photoconductive Semiconductor Switches简称PCSS’s)具有触发无晃动、寄生电感电容小、上升时间快、重复频率高......
