非极性GaN相关论文
GaN是实现白光LED的关键材料。GaN外延膜通常沿极性c轴生长, 基于极性GaN的LED有源层量子阱中由于强内建电场的存在而导致器件发光......
为解决以往侧向外延生长、侧壁横向外延生长等方法存在的缺陷问题,文章借鉴前人研究成果提出一种选用钛图形化r面蓝宝石衬底直接外......
GaN是第三代半导体材料,具有较高的禁带宽度,较高的电子饱和速度以及良好的稳定性,在光电器件以及电子器件领域都有很大的优势。Ga......
在传统的衬底上生长出的GaN都是沿着极性轴c轴方向的,非极性GaN薄膜克服了极性薄膜中因为产生内建电场而带来的发光效率和结晶质量......
AlxGa1-xN是直接带隙宽禁带半导体材料,化学性质稳定,耐高温,抗辐射,波长在200～365 nm范围内连续可调,在空气净化、杀菌与消毒、半......
由于常规的GaN是在极性c面蓝宝石上生长的,GaN基高电子迁移率晶体管的出色性能主要是因为AlGaN/GaN异质结界面存在着高密度和高迁......
采用温梯法生长了非极性GaN外延衬底r（011^-2）面蓝宝石,使用化学机械抛光加工衬底表面,对衬底的结晶质量、光学性能和加工质量进行了......
GaN基LED技术是实现半导体照明的关键技术,GaN基深紫外LED不仅具有高的白光转化效率,而且还在医疗、净化等方面有重要的应用。然而......
目前，GaN材料已经广泛应用于电子器件和发光器件，比如高电子迁移率晶体管和发光二极管。通常大多数的GaN基器件用到的是沿着极性[000......
