高介电栅介质相关论文
采用脉冲激光沉积方法在Si衬底上沉积了ZrO2栅介质薄膜,X射线衍射分析表明该薄膜经过450℃退火后低介电界面层得到抑制,仍然保持非......
原子层沉积(atomic layer deposition, ALD)是基于气态前驱体在沉积表面发生化学吸附反应的一种新型薄膜沉积技术,由于其独特的自......
传统的栅介质材料SiO2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求,因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究,进展迅速.本文综......
