ZRO2薄膜相关论文
本文采用正偏压作用下多弧离子镀与等离子体基离子注入相结合的复合沉积技术,通过改变气体流量、正偏压以及离子注入电压,在不同工......
二氧化锆薄膜由于具有较高的硬度、较好的耐磨损耐腐蚀性质、良好的化学稳定性和热稳定性以及优异的光学特性，使其在记忆材料、微电......
本论文主要工作分为两部分：第一部分是利用Leybold LAB600sp磁控溅射系统采用射频与直流磁控共溅射的方法制备了不同组分的Si-ZrO2......
采用DC反应磁控溅射工艺在K424合金基底上制备了ZrO2薄膜,并对薄膜进行了不同温度的热处理,采用XRD、SEM和EDS等分析手段对薄膜的......
ZrO2 薄膜样品在不同的沉积温度下用电子束蒸发的方法沉积而成。利用X射线衍射 (XRD)仪和原子力显微镜 (AFM)检测了ZrO2 薄膜的晶......
在电子束蒸发沉积制备ZrO2薄膜的过程中,采用石英晶体振荡法监控膜厚和沉积速率。用NKD7000分光光度计测量了ZrO2薄膜的折射率和膜......
分别采用电子束热蒸发技术和溶胶-凝胶技术在K9基片上镀制了光学厚度相近的ZrO2单层薄膜,测试了两类薄膜的激光损伤阈值。分别采用......
采用电子束蒸发沉积制备了不同基底温度的ZrO2单层薄膜.计算了薄膜在三倍频处的折射率、消光系数,分析了基底温度对薄膜带隙的影响......
在单晶硅表面制得花生酸锆Langmuir-Blodgett薄膜,对该薄膜在500℃条件下热处理30 min,得到致密ZrO2薄膜.利用AFM,XPS,SEM对其结构......
为惯性约束聚变 (ICF)实验中利用光栅分光特性间接探测激光功率研究 ,制备具有高激光损伤阈值的光栅分光ZrO2 薄膜。采用水热法制......
采用直流反应磁控溅射工艺在25、300℃沉积温度下分别制备了ZrO2薄膜和YSZ薄膜。结果表明,沉积温度对ZrO2薄膜沉积速率的影响不大,......
期刊
采用准分子脉冲激光沉积法 (PLD)分别在Pt/Ti/SiO2 /Si和SiO2 /Si衬底上制备了ZrO2 薄膜 ,采用扩展电阻法 (SRP)研究了薄膜纵向电......
ZrO2是用于高抗激光损伤薄膜的重要材料,其结构及性能与沉积条件有很大关系。采用X射线衍射(XRD)技术分析了不同充氧条件和沉积温......
用XRD衍射技术分析了基片转动和充氧条件对ZrO2薄膜组成结构的影响,发现在相同低氧压条件下(P≤1.1×10-2Pa)基片转动能够改变......
在氧气和氩气的混合气体中,以O2/Ar流量比固定为1/4的条件,通过改变正偏压大小,采用多弧离子镀方法制备了新型高k栅介质——ZrO2薄......
采用溶胶-凝胶法在玻璃基体表面制备了经300℃,400℃和500℃烧结热处理的ZrO2薄膜。利用X射线衍射仪、原子力显微镜和纳米压痕仪研......
采用脉冲激光沉积方法在Si衬底上沉积了ZrO2栅介质薄膜,X射线衍射分析表明该薄膜经过450℃退火后低介电界面层得到抑制,仍然保持非......
采用三种阴离子表面活性剂:十二烷基磺酸钠(SDS),十二烷基苯磺酸钠(DBS-Na),十二烷基苯磺酸(DBS-H)作模板,在空气-水界面上组装ZrO......
为了获得ZrO2薄膜的光学常数,采用了德国SENTECH生产的SE850宽光谱反射式光谱型椭偏仪,测量和分析了用光控自动真空镀膜机沉积在K9......
利用射频反应磁控溅射在显微玻璃、单晶硅片、NaCl片和石英上沉积ZrO2薄膜.薄膜厚度80 nm～100 nm.利用X射线衍射仪、透射电子显微镜......
采用电子束蒸发的方法，用石英晶体振荡法监控薄膜的蒸发速率，在不同工作气压下制备了ZrO2薄膜样品．在相调制型椭圆偏振光谱仪和分光光......
利用反应磁控溅射法沉积了ZrO2介电薄膜，研究了退火温度对ZrO22介电薄膜电学性能的影响，并对漏电流最小的样品的漏电流机制进行了分......
采用反应磁控溅射法在k9玻璃基底上沉积ZrO2薄膜。用轮廓仪、椭圆偏振仪和分光光度计，分别测试薄膜的厚度、折射率、消光系数和透过......
用电子束蒸发方法制备了纯的ZrO2薄膜和含Y2O2摩尔分数为7％和13％的ZrO2薄膜，即YSZ薄膜，通过测定薄膜的损伤阈值来验证温度诱导相变模型......
采用反应射频(RF)磁控溅射法在n型(100)单晶Si基片上沉积了ZrO2薄膜,研究了氧分压与ZrO2薄膜的表面粗糙度和沉积速率、SiO2中间界......
利用射频反应磁控溅射在显微玻璃、单晶硅片、NaCl和石英上沉积ZrO2薄膜.膜厚60～80nm.研究发现,溅射气压升高,薄膜结晶程度降低,同......
通过分析ZrO2薄膜电子束沉积时氧压、衬底转动及温度对薄膜相结构、晶粒尺寸和粗糙度的影响,对ZrO2薄膜微结构特性与抗激光诱导损......
采用反应磁控溅射方法,在室温～550℃的沉积温度下,在Si(100)和玻璃基片上沉积了厚度在纳米量级的ZrO2薄膜.通过高分辨电子显微镜、......
采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别......
采用反应射频磁控溅射法在Si（100）基片上制备了ZrO2薄膜,通过高分辨电子显微镜、原子力显微镜,研究了沉积工艺参数（主要包括氧分压和......
ZrO2薄膜具有折射率高、光谱透明范围宽、在可见光和近红外波段有低吸收和低散射等优点,被广泛用于光学薄膜领域。另外,这种材料还......
以β-二酮螯合物 Zr（DPM）4为挥发性源,利用微波等离子体化学气相淀积方法成功地在低温（<300℃）下合成了 ZrO2薄膜,SEM 观测表明薄膜形......
在单晶硅表面制得花生酸锆hngmuir—Blodgett薄膜，对该薄膜在500℃条件下热处理30min，得到致密ZrO2薄膜。利用AFM，XPS，SEM对其结构和形......
利用电子束蒸发方法在Yb:YAG晶体和熔融石英衬底上沉积单层ZrO2薄膜,分别在673 K和1 073 K的温度下经过12 h退火以后,通过X射线衍......
在不同的氧分压下用电子束热蒸发的方法制备了ZrO2薄膜.分别通过X射线衍射、光学光谱、热透镜技术、抗激光辐照等测试,对所制备样......
采用水热合成技术，制备了ZrO2胶体，用旋涂法镀制了单层ZrO2介质膜以及添加了有机粘合剂PVP的复合ZrO2-PVP薄膜。采用X射线衍射（XRD）、......
阻变存储器（RRAM）因其响应度快,稳定性高,功耗低等优点有望成为新一代的存储器,这类存储器的开发应用涉及到的问题很多,但以阻变层材......
从氧空位、表面粗糙度及晶界三方面,讨论了氧分压对射频反应磁控溅射ZrO2薄膜光学透射率的影响.结果表明,随氧分压增大,氧空位的减......
采用反应RF磁控溅射法在氧气和氩气的混合气氛中制备了具有较高介电常数、较宽光学禁带间隙的ZrO2薄膜。利用变角度光谱椭圆偏振仪......
采用溶胶-凝胶法在316L不锈钢基底上制备氧化锆（ZrO2）薄膜,薄膜采用分级干燥工艺,经500℃退火制备得到。X射线衍射（XRD）分析了干凝胶粉......
采用反应磁控溅射倾斜沉积（GLAD）的方法制备了多孔柱状晶的ZrO2薄膜，研究了不同沉积角和靶基距对薄膜结构和光学性质的影响．结果表明，倾......
采用溶胶-凝胶工艺在304不锈钢基体表面制备了经600℃烧结热处理的一、二、三层ZrO2薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）和扫描电子显微镜（SEM......
随着超大规模集成电路产业的发展,对半导体材料的性质及其制备工艺提出了更高的要求。集成电路技术伴随着单个电子器件尺寸的缩小......
随着生活中薄膜晶体管（TFT）应用范围的扩展,同时人们对以TFT为基础单元的高分辨和大尺寸平板显示质量期望的提高,促进有较高迁移率,......
利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法系统地研究了掺杂和应力对ZrO2薄膜的电子结构与光学性质的影响.本文首先研......
ZrO2薄膜具有折射率高、光谱透明范围宽、在可见光和近红外波段有低吸收和低散射等优点,被广泛用于光学薄膜领域。另外,这种材料还......
