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摘要：随着国家电力行业的不断发展，许多事故发生时的短路电流已经接近或者超过设计初期的额定短路电流值，从而引发开断装置无法开断电......
采用TSMC 0.13 μm 1P6M CMOS工艺,设计了一种用于射频集成电路的高Q值、高耦合的叠层片上变压器。采用叠层差分结构,初级线圈和次......
