黄铜矿结构相关论文
红外非线性光学（Infrared nonlinear optical materials,IR NLO）晶体在红外遥感、环境监测、工业过程控制、生物组织成像、微创医疗......
随着传统石化能源的日益减少，太阳能作为一种重要的可再生能源逐渐成为人们关注的热点。光伏发电是太阳能利用研究领域中最重要的发......
Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族黄铜矿结构的CuInSe2系化合物半导体因具有优异的光、电学性能而成为最有发展前景的光伏材料。已有的CuInSe2的制备方法......
能源危机、环境污染使太阳能电池的应用受到广泛关注。在众多太阳能电池材料中,CuIInS2因为其高吸光系数、合适的禁带宽度、高理论......
将原料封装入真空石英管，在873K进行固相反应制备了Li掺杂的Cu1-xLixInSe2（x=0-0．4）块体材料，并对该材料的结构、电学和光学特性进行了......
采用了一种低成本化学溶液法制备铜铟硒（CuInSe2, CIS）薄膜.研究了预退火温度、硒化温度及基片衬底等实验参数对材料性能的影响.采用......
<正>波长范围在2～20μm之间的中远红外激光在军事和民用方面有着极其重要的应用价值(红外对抗、激光制导、激光手术、大气监测等).......
本论文旨在利用简单的反应体系制备半导体黄铜矿和碲化铅胶体纳米粒子，并对相关材料在热电转化和芬顿试剂法降解有机染料方面的性质......
分析了硫镓银晶体的反常热膨胀,主要是由于晶体结构中Ag,Ga,S三种原子形成的四面体随着温度变化发生了畸变;通过采用改变生长安瓿......
利用电化学循环伏安法研究了Cu2＋、In3＋及S2O32-在不同pH条件下的伏安特性，发现以柠檬酸为络合剂，pH=6时几种离子在-0．8V电位下的电化学......
Cu3Ga5Te9是典型的Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2系列黄铜矿结构直接带隙半导体材料。材料内部的阴阳离子缺陷对((GaCu+2+2VCu-1),其中GaCu+2表示金属G......
CuMTe2(M=In,Ga)是典型的Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2系列黄铜矿结构直接带隙半导体材料,带隙宽度分别为Eg=1.24eV(CuGaTe2)和Eg=1.06eV(CuInTe2)。......
