【摘 要】
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Agenda日程■ Company Introduce富乐公司介绍■ PUR Technology Introduce反应型热熔胶技术简介■ PUR Hotmelt Application for Flat Lamination 反应型热熔胶在平贴中的应
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Agenda日程■ Company Introduce富乐公司介绍■ PUR Technology Introduce反应型热熔胶技术简介■ PUR Hotmelt Application for Flat Lamination 反应型热熔胶在平贴中的应用
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上个世纪后期,以GaN,SiC为代表的宽带隙半导体材料研究的突破,高性能器件的问世,新技术新产业的形成,展现出宽带隙半导体材料的重要应用价值,有望突破第一代半导体材料Ge、Si
通过X射线光电子能谱(XPS)、光致发光谱(PL)以及时间分辨光谱(TRPL)等手段,我们研究了晶格匹配的In0.17Al0.83N/GaN异质结构界面处的能带结构.研究样品为利用MOCVD技术生长的
SiC具有优异的材料特性,可以用来制造各种耐高温的高频、高效大功率器件[1].相对于衬底价格昂贵的SiC同质外延,Si基SiC异质外延在衬底价格及外延尺寸上面具有其独特的优势,同
AlGaN/GaN HEMT由于其具有高的击穿场强,高的饱和速度在高频大功率器件中具有显著的优势.实际应用中的GaN材料基本都是在蓝宝石、碳化硅、硅材料等异质衬底上外延获得,由于Ga
作为一种直接宽带隙半导体材料,ZnO具有优于其它半导体材料独特的性质,其室温下带隙宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,远高于室温热离化能(26 meV),因此其特别适用于制备
异质结双极晶体管(HBT)具有高频、高速、功率密度高、相位噪声低、线性度好等特点,在低相位噪声振荡器、高效率功率放大器、宽带放大器中都有广泛的应用。而InP/InGaAs H
InP基HEMT器件因其高载流子浓度和高电子迁移率,是目前截止频率最高的固态三端电子器件[1],加之其良好的低噪声特性,是目前发展固态太赫兹电路的主流方向[2].本文中,栅宽为50
由于非晶InGaZnO (IGZO)基薄膜晶体管表现出了优越的电学性能,因此在作为液晶显示器和有机发光二极管显示器的驱动器件方面有着巨大的潜力,但是在器件的稳定性方面,仍然存在
InP HBT器件以其自身材料特性,如能带结构丰富、电子迁移率高、饱和漂移速度大等特点,非常适合于超高频器件和电路的应用.国外多家研究机构在外延层生长工艺、器件工艺以及电