【摘 要】
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InP HBT器件以其自身材料特性,如能带结构丰富、电子迁移率高、饱和漂移速度大等特点,非常适合于超高频器件和电路的应用.国外多家研究机构在外延层生长工艺、器件工艺以及电
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,微波器件和集成电路研究室,北京100029中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料实验室,上海200050
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InP HBT器件以其自身材料特性,如能带结构丰富、电子迁移率高、饱和漂移速度大等特点,非常适合于超高频器件和电路的应用.国外多家研究机构在外延层生长工艺、器件工艺以及电路设计研制等方面展开了深入的研究[1],国际上InP HBT的发展方向主要是面向高频太赫兹应用[2].为了进一步提高器件频率,我们在InP DHBT台面结构以及平坦化工艺基础上,开发了步进式光刻工艺进行器件电极的制作,结合发射极基极自对准工艺,将器件发射极宽度减小到0.6μm,器件台面截面图如图1所示.
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