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本文报道用“不间断生长/退火”FECVD技术,制备了含一定比例(～0.3)微晶成分的非晶硅膜.它具有较小的深缺陷态密度和较好的稳定性,用以制备的非晶硅单结太阳电池稳定效率达到8.02℅.
稳定高效非晶硅太阳电池
【摘 要】
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本文报道用“不间断生长/退火”FECVD技术,制备了含一定比例(～0.3)微晶成分的非晶硅膜.它具有较小的深缺陷态密度和较好的稳定性,用以制备的非晶硅单结太阳电池稳定效率达到8.
【机 构】
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中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心表面物理国家实验室(北京)
【出 处】
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中国第六届光伏会议
【发表日期】
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2000年期
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