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低温PVT法生长无色AlN单晶研究
低温PVT法生长无色AlN单晶研究
来源 :第17届全国晶体生长与材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yangyiwenabc
【摘 要】
:
氮化铝(AlN)单晶与AlGaN外延层之间具有最小的晶格失配率,以及近乎为零的热膨胀系数失配率,由此成为制备含有高铝组分AlGaN和AlN外延层及相关器件的最优衬底材料。
【作 者】
:
齐海涛
【机 构】
:
电子集团46所
【出 处】
:
第17届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
:
2015年期
【关键词】
:
低温
PVT法
生长
无色
AlN
外延层
热膨胀系数
AlGaN
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氮化铝(AlN)单晶与AlGaN外延层之间具有最小的晶格失配率,以及近乎为零的热膨胀系数失配率,由此成为制备含有高铝组分AlGaN和AlN外延层及相关器件的最优衬底材料。
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