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AlxGa1-xN/GaN异质结在高温、高频和高功率电子器件方面有很大的应用前景。对AlxGa1-xN/GaN异质结的研究中的一个重要的问题是提高其二维电子气体的输运性质。采用AIN插入层可以有效地提高二维电子气的迁移率，其原因是AIN插入层能有效地降低二维电子气(2DEG)的合金无序散射。本文研究发现，一个恰当厚度的A1N插入层能够有效改善AlxGa1-xN/GaN异质结的微结构，从而提高了2DEG的迁移率。