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拉曼散射研究低温生长的AlGaAs/GaAs结构特征
拉曼散射研究低温生长的AlGaAs/GaAs结构特征
来源 :第六届全国分子束外延学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cuidayue
【摘 要】
:
本文用拉曼散射实验对低温生长的AlGaAs/GaAs多量子阱光折变材料的特征,缺陷及其内在的相互关系进行了分析和讨论.
【作 者】
:
郭丽伟
韩英军
胡承勇
黄绮
周均铭
【机 构】
:
凝聚态物理中心,中国科学院物理研究所(北京) 超晶格实验室,中国科学院半导体研究所(北京)
【出 处】
:
第六届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
:
2001年6期
【关键词】
:
多量子阱材料
AlGaAs/GaAs
低温生长
结构特征
拉曼散射实验
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本文用拉曼散射实验对低温生长的AlGaAs/GaAs多量子阱光折变材料的特征,缺陷及其内在的相互关系进行了分析和讨论.
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